PRMH2Z, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 58 руб.

Сравнить

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 230 МГц 480 мВт Поверхностный монтаж DFN1412-6

Информация

Производитель

Nexperia

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2335848

Технические параметры

Base Product Number

PRMH2 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

1ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

230MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-XFDFN Exposed Pad

Power - Max

480mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

DFN1412-6

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Resistor - Base (R1)

47kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

47kOhms

Техническая документация

Datasheet PRMH2Z , pdf , 256 КБ
Datasheet PRMH2Z , pdf , 248 КБ

PRMH2Z - характеристики, поставщики

Последняя цена 58 руб.

Техническая документация