SS8050DBU, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO92, АБ

Малосигнальные NPN-транзисторы, до 30 В, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2335026

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.2

Base Product Number

SS8050 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

1.5A

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 80mA, 800mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

25V

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 V

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

4.58 x 3.86 x 4.58мм

Pd - рассеивание мощности

1 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

4.58мм

Длина

4.58мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1.5 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

40 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

25 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

1.5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

10000

Серия

SS8050

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

TO-92-3

Ширина

3.86мм

Другие названия товара №

SS8050DBU_NL

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

300

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

25 В

Максимальный пост. ток коллектора

1,5 А

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

Тип корпуса

TO-92

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,2 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 240 КБ
Datasheet , pdf , 241 КБ
Datasheet SS8050DBU , pdf , 238 КБ

SS8050DBU - характеристики, поставщики

Последняя цена 5 руб.

Техническая документация