ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FMB3904 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FMB3904
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FMB3904
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT236, АБ
Dual, amp; Quad Multi-Chip Transistors, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2334217
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.043
Base Product Number
FMB39 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power - Max
700mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SuperSOTв„ў-6
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40V
Maximum Operating Frequency
250 МГц
Length
3мм
Transistor Configuration
Изолированный
Brand
ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current
200 мА
Pin Count
6
Dimensions
3 x 1.7 x 1мм
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Конфигурация транзистора
Изолированный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
3 x 1.7 x 1мм
Pd - рассеивание мощности
700 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
3мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Dual
Максимальный постоянный ток коллектора
0.2 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
0.2 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
FMB3904
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
SSOT-6
Ширина
1.7мм
Другие названия товара №
FMB3904_NL
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
300
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
250 MHz
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Количество элементов на ИС
2
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 V
Максимальный пост. ток коллектора
200 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0,95 В
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-0,95 В
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Техническая документация
Datasheet FMB3904 , pdf
, 517 КБ
Datasheet FMB3904 , pdf
, 463 КБ
Datasheet , pdf
, 368 КБ