FDS2670, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 310 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор SO-8 N-CH 200V

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2334205

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.13

Ширина

3.9 mm

Высота

1.75 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

3 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Qg - заряд затвора

43 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

130 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

8 ns

Время спада

25 ns

Длина

4.9 mm

Другие названия товара №

FDS2670_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

15 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

FDS2670

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

30 ns

Типичное время задержки при включении

13 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SO-8

Тип

MOSFET

Техническая документация

Datasheet FDS2670 , pdf , 222 КБ
Datasheet FDS2670 , pdf , 220 КБ

FDS2670 - характеристики, поставщики

Последняя цена 310 руб.

Техническая документация