NSVF3007SG3T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 99 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники\Транзисторы РЧ\РЧ биполярные транзисторы

РЧ биполярные транзисторы RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2330735

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.006

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

2мм

Brand

ON Semiconductor

Pin Count

Maximum Emitter Base Voltage

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип транзистора

Bipolar

Размеры

2 x 1.6 x 0.85мм

Pd - рассеивание мощности

350 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.85мм

Категория продукта

РЧ биполярные транзисторы

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

30 mA

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

12 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

2 V

Непрерывный коллекторный ток

30 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

RF Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Reel, Cut Tape

Упаковка / блок

SC-70FL-3

Ширина

1.6мм

Квалификация

AEC-Q101

Технология

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В

Максимальный пост. ток коллектора

30 мА

Максимальная рабочая частота

8 ГГц

Тип корпуса

MCPH

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Рабочая частота

8 GHz

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet NSVF3007SG3T1G , pdf , 486 КБ
Datasheet NSVF3007SG3T1G , pdf , 494 КБ

NSVF3007SG3T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 99 руб.

Техническая документация