ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TSM3N90CI C0G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Taiwan Semiconductor
TSM3N90CI C0G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TSM3N90CI C0G
Последняя цена
410 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) сквозное отверстие ITO-220AB
Информация
Производитель
Taiwan Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2330061
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Base Product Number
TSM3N90 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
748pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Power Dissipation (Max)
94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1Ohm @ 1.25A, 10V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
ITO-220AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
2.5 A
Pd - рассеивание мощности
32 W
Qg - заряд затвора
17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
900 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
25 ns
Время спада
31 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
3 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
50
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
N-Channel Power MOSFET
Типичное время задержки выключения
63 ns
Типичное время задержки при включении
16 ns
Торговая марка
Taiwan Semiconductor
Упаковка / блок
ITO-220-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 580 КБ
Datasheet , pdf
, 559 КБ
