ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TSM036N03PQ56 RLG - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Taiwan Semiconductor
TSM036N03PQ56 RLG
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TSM036N03PQ56 RLG
Последняя цена
310 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор Power МОП-транзистор, N-CHAN 30V, 95A, 3.6mOhm
Информация
Производитель
Taiwan Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2329806
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
124 A
Pd - рассеивание мощности
83 W
Qg - заряд затвора
50 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10.4 ns
Время спада
10.6 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
44 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
TSM
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
25.2 ns
Типичное время задержки при включении
4.8 ns
Торговая марка
Taiwan Semiconductor
Упаковка / блок
PDFN-56-8
