TSM60NB190CI C0G, Taiwan Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1280 руб.

Сравнить

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N-канал, 600 В, 18 А (Tc), 33,8 Вт (Tc), сквозное отверстие, ITO-220AB

Информация

Производитель

Taiwan Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2329554

Технические параметры

Base Product Number

TSM60 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

18A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1273pF @ 100V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Power Dissipation (Max)

33.8W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 6A, 10V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

ITO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 825 КБ

TSM60NB190CI C0G - характеристики, поставщики

Последняя цена 1280 руб.

Техническая документация