ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TSM038N04LCP ROG - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Taiwan Semiconductor
TSM038N04LCP ROG
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TSM038N04LCP ROG
Последняя цена
560 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор МОП-транзистор, Single, N-Ch Trench 40V, 135A
Информация
Производитель
Taiwan Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2329510
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
135 A
Pd - рассеивание мощности
125 W
Qg - заряд затвора
104 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.2 V
Время нарастания
21 ns
Время спада
35 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
55 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
N-Channel
Типичное время задержки выключения
57 ns
Типичное время задержки при включении
8 ns
Торговая марка
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Reel
Техническая документация
Datasheet TSM038N04LCP ROG , pdf
, 277 КБ