ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SIHA24N65EF-E3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SIHA24N65EF-E3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SIHA24N65EF-E3
Последняя цена
441 руб.
Сравнить
Описание
N-канал 650V 24A (Tc) 39W (Tc) сквозное отверстие TO-220, полный комплект
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2325754
Технические параметры
Series
E ->
Base Product Number
SIHA24 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
122nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2774pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)
39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 12A, 10V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220 Full Pack
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Техническая документация
Datasheet SIHA24N65EF-E3 , pdf
, 175 КБ
