ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SIA469DJ-T1-GE3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SIA469DJ-T1-GE3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SIA469DJ-T1-GE3
Последняя цена
78 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2325745
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.0456
Series
TrenchFETВ® Gen III ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
SIA469 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
PowerPAKВ® SC-70-6
Power Dissipation (Max)
15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26.5mOhm @ 5A, 10V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
12 A
Pd - рассеивание мощности
15.6 W
Qg - заряд затвора
32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
21 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
17 ns
Время спада
15 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
TrenchFET, PowerPAK
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
15 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
SIA
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
30 ns
Типичное время задержки при включении
7 ns
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок
SC-70-6
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 136 КБ
Datasheet SIA469DJ-T1-GE3 , pdf
, 276 КБ
Datasheet SIA469DJ-T1-GE3 , pdf
, 187 КБ