ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SIHA14N60E-E3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SIHA14N60E-E3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SIHA14N60E-E3
Последняя цена
410 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2325738
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
2
Ширина
4.69 mm
Высота
15.9 mm
Series
E ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
SIHA14 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1205pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)
147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
309mOhm @ 7A, 10V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220 Full Pack
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
13 A
Pd - рассеивание мощности
147 W
Qg - заряд затвора
32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
269 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
19 ns
Время спада
15 ns
Длина
10.5 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
E
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
35 ns
Типичное время задержки при включении
15 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet SIHA14N60E-E3 , pdf
, 164 КБ
Datasheet SIHA14N60E-E3 , pdf
, 162 КБ
