BSH205G2R, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 35 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-23 (TO-236AB), инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2 А, 0.89ВТ

МОП-транзистор с каналом P, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2323981

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.05

Максимальный непрерывный ток стока

2.3 A

Package Type

SOT-23

Максимальное рассеяние мощности

6,25 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Length

3мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Nexperia

Series

BSH205G2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

170 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

3.7 nC @ -4.5 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Прямое напряжение диода

1.2V

Base Product Number

BSH205 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

418pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

480mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 2A, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±8V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV @ 250ВµA

Длина

3мм

Серия

BSH205G2

Типичное время задержки выключения

43 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5 нс

Производитель

Nexperia

Maximum Gate Threshold Voltage

0.95V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Число контактов

Категория

МОП-транзистор с щелевой структурой

Типичный заряд затвора при Vgs

3,7 нКл при -4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

418 пФ при -10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

6.25 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Прямая активная межэлектродная проводимость

4.5s

Automotive Standard

AEC-Q101

Forward Diode Voltage

1.2V

Максимальное пороговое напряжение включения

0.95V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet BSH205G2R , pdf , 279 КБ
Datasheet BSH205G2R , pdf , 738 КБ

BSH205G2R - характеристики, поставщики

Последняя цена 35 руб.

Техническая документация