ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PBSS4160DPN,115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PBSS4160DPN,115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PBSS4160DPN,115
Последняя цена
53 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторов
корпус: 6-TSOP, инфо: Биполярный транзистор NPN/PNP, 60 В
Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2323623
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN, PNP
Вес, г
0.05
Base Product Number
PBSS4160 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
870mA, 770mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
220MHz, 185MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-74, SOT-457
Power - Max
420mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
6-TSOP
Transistor Type
NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 100mA, 1A / 330mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Transistor Configuration
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN + PNP
Размеры
1 x 3.1 x 1.7мм
Pd - рассеивание мощности
290 mW, 420 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
3.1 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Dual
Максимальный постоянный ток коллектора
+/- 2 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
1 A, - 900 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SC-74-6
Ширина
1.7 mm
Другие названия товара №
PBSS4160DPN T/R
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
250 at 1 mA at 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
185 MHz, 220 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,33 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
185 МГц (PNP), 220 МГц (NPN)
Число контактов
6
Тип корпуса
TSOP
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,1 В
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Техническая документация
Datasheet PBSS4160DPN,115 , pdf
, 376 КБ
Datasheet PBSS4160DPN.115 , pdf
, 318 КБ
