ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC847BMB,315 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BC847BMB,315
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC847BMB,315
Последняя цена
40 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 45V NPN 100mA 250mW
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2323318
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1-Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
45В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-883B
Рассеиваемая Мощность
250мВт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
200hFE
Частота Перехода ft
100МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.0006
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
10000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
DFN1006B-3
Другие названия товара №
934065886315
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
450
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
200 mV
Техническая документация
Datasheet BC847AMB,315 , pdf
, 344 КБ