ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STFU6N65 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STFU6N65
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STFU6N65
Последняя цена
270 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP ultra narrow leads package
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2319448
Технические параметры
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
2
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Вид монтажа
Through Hole
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
STFU6N65
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка / блок
TO-220FP-3
