IRF1010EZSTRLP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N-канал 60V 75A (Tc) 140W (Tc) Поверхностный монтаж D2PAK

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2313640

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Package Type

D2PAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Length

10.67мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Typical Gate Charge @ Vgs

58 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

±20 В

Base Product Number

IRF1010 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

75A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2810pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Power Dissipation (Max)

140W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 51A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D2PAK

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 100ВµA

Id - непрерывный ток утечки

75 A

Pd - рассеивание мощности

140 W

Qg - заряд затвора

58 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

8.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

90 ns

Время спада

54 ns

Длина

10 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

800

Серия

IRF1010EZS

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

38 ns

Типичное время задержки при включении

19 ns

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

TO-263-3

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

2 + Tab

Maximum Continuous Drain Current

84 А

Maximum Power Dissipation

140 Вт

Maximum Drain Source Resistance

8,5 мΩ

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

Forward Diode Voltage

1.3V

Техническая документация

Datasheet IRF1010EZSTRLP , pdf , 418 КБ
Datasheet , pdf , 408 КБ
Datasheet IRF1010EZSTRLP , pdf , 410 КБ

IRF1010EZSTRLP - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация