ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NSVJ3910SB3T1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NSVJ3910SB3T1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
NSVJ3910SB3T1G
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\JFET
Полевой транзистор JFET NCH J-FET
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2313232
Технические параметры
Ширина
1.6 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
JFET
Размер фабричной упаковки
3000
Тип
JFET
Торговая марка
ON Semiconductor
Длина
2.9 mm
Высота
0.9 mm
Id - непрерывный ток утечки
50 mA
Pd - рассеивание мощности
400 mW
Vds - напряжение пробоя сток-исток
25 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Минимальная рабочая температура
55 C
Упаковка / блок
CPH-3
Подкатегория
Transistors
Тип продукта
JFETs
Диапазон рабочих температур
55 C to + 150 C
Квалификация
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet NSVJ3910SB3T1G , pdf
, 547 КБ
Datasheet NSVJ3910SB3T1G , pdf
, 546 КБ