NSVMMBTA05LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 71 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 DR XSTR NPN

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2307236

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.008

Base Product Number

NSVMMBTA05 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

225mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

4 V

Непрерывный коллекторный ток

500 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMBTA05LT1

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 160 КБ

NSVMMBTA05LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 71 руб.

Техническая документация