ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK25A60X5,S5X - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK25A60X5,S5X
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TK25A60X5,S5X
Последняя цена
790 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал, 600 В, 25 А (Ta), 45 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220SIS
Информация
Производитель
Toshiba
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2303100
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Ширина
4.5 mm
Высота
15 mm
Series
DTMOSIV-H ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
TA58L08 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 300V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)
45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 7.5A, 10V
RoHS Status
RoHS Compliant
Supplier Device Package
TO-220SIS
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.2mA
Id - непрерывный ток утечки
25 A
Pd - рассеивание мощности
45 W
Qg - заряд затвора
60 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
40 ns
Время спада
4 ns
Длина
10 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV-H
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
50
Серия
TK25A60X
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
100 ns
Типичное время задержки при включении
80 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet TK25A60X5.S5X , pdf
, 370 КБ
Datasheet TK25A60X5,S5X , pdf
, 369 КБ
