ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK39N60X,S1F - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK39N60X,S1F
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TK39N60X,S1F
Последняя цена
1060 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
Информация
Производитель
Toshiba
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2302605
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
38
Ширина
5.02 mm
Высота
20.95 mm
Series
DTMOSIV-H ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
TLP525 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
38.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 300V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 12.5A, 10V
RoHS Status
RoHS Compliant
Supplier Device Package
TO-247
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.9mA
FET Feature
Super Junction
Id - непрерывный ток утечки
38.8 A
Pd - рассеивание мощности
270 W
Qg - заряд затвора
85 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.5 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
35 ns
Время спада
6 ns
Длина
15.94 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV-H
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
30
Серия
TK39N60X
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
155 ns
Типичное время задержки при включении
60 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка / блок
TO-247-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet TK39N60X.S1F , pdf
, 247 КБ
Datasheet TK39N60X,S1F , pdf
, 246 КБ
