ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RN1104MFV,L3F - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
RN1104MFV,L3F
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
RN1104MFV,L3F
Последняя цена
28 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150mW TRANSISTOR
Информация
Производитель
Toshiba
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2300355
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.0015
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
10 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
8000
Серия
RN1104MFV
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
Toshiba
Упаковка / блок
SOT-723-3
Квалификация
AEC-Q101
Типичное входное сопротивление
47 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
0.8
Количество каналов
1 Channel
Техническая документация
Datasheet RN1104MFV.L3F , pdf
, 853 КБ
