ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SSM6L36FE,LM - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
SSM6L36FE,LM
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SSM6L36FE,LM
Последняя цена
74 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор 2-in-1
Информация
Производитель
Toshiba
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2298317
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel, P-Channel
Вес, г
0.003
Ширина
1.2 mm
Высота
0.55 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
TLP620 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
500mA, 330mA
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ECCN
EAR99
FET Type
N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.23nC @ 4V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
46pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Rds On (Max) @ Id, Vgs
630mOhm @ 200mA, 5V
RoHS Status
RoHS Compliant
Supplier Device Package
ES6 (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
FET Feature
Logic Level Gate
Power - Max
150mW
Id - непрерывный ток утечки
500 mA, 330 mA
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Qg - заряд затвора
1.23 nC, 1.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
460 mOhms, 950 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V, + 10 V, - 8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
350 mV, 1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
1.6 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Коммерческое обозначение
U-MOSIII
Конфигурация
Dual
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
4000
Серия
SSM6L36
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
75 ns, 200 ns
Типичное время задержки при включении
30 ns, 90 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка / блок
ES6-6
Квалификация
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet SSM6L36FE.LM , pdf
, 368 КБ
Datasheet SSM6L36FE,LM , pdf
, 526 КБ
