ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC817-40WT1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BC817-40WT1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC817-40WT1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
Последняя цена
2.8 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT SS SC70 GP XSTR NPN
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BC817-40WT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2296807
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Pd - рассеивание мощности
460 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
40
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
500 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BC817-40W
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SC-70-3
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.7 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 63 КБ
Datasheet BC817-40WT1G , pdf
, 130 КБ