ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRL620 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRL620
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRL620
Последняя цена
360 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор
МОП-транзистор RECOMMENDED ALT 844-IRF620PBF
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2262653
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Brand
Vishay
Минимальная рабочая температура
55 C
Pin Count
3
Base Product Number
IRL620 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
5.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 5V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3.1A, 5V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
5.2 A
Pd - рассеивание мощности
50 W
Qg - заряд затвора
16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
800 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
Through Hole
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
50
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Other Related Documents
http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)
5.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
800@5V
Maximum Drain Source Voltage (V)
200
Maximum Gate Source Voltage (V)
±10
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
50000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Through Hole
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220AB
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
360@25V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
16(Max)@5V
Typical Fall Time (ns)
17
Typical Rise Time (ns)
31
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
18
Typical Turn-On Delay Time (ns)
4.2
Automotive
No
Military
No
Package Height
9.01(Max)
Package Length
10.41(Max)
Package Width
4.7(Max)
Tab
Tab
Техническая документация
Datasheet IRL620PBF , pdf
, 2196 КБ
Datasheet IRL620PBF , pdf
, 2073 КБ
Datasheet IRL620PBF , pdf
, 2195 КБ