TN2106N3-G, Microchip Technology - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор

МОП-транзистор 60V 2.5Ohm

Информация

Производитель

Microchip Technology

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2250085

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

300 ма

Package Type

TO-92

Максимальное рассеяние мощности

740 мвт

Тип монтажа

монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.06мм

Высота

5.33мм

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Microchip

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное сопротивление сток-исток

5 ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 в

Pin Count

Номер канала

поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.8v

Base Product Number

TN2106 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

300mA (Tj)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Power Dissipation (Max)

740mW (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 500mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

300 mA

Pd - рассеивание мощности

740 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.5 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

600 mV

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

5 ns

Время спада

5 ns

Длина

5.08мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

150 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

TN2106

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

6 ns

Типичное время задержки при включении

3 ns

Торговая марка

Microchip Technology

Упаковка / блок

TO-92-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип

FET

Упаковка

Bulk

Тип корпуса

to-92

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Maximum Continuous Drain Current

300 мА

Maximum Power Dissipation

740 мВт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Mode

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6v

Forward Diode Voltage

1.8V

Страна происхождения

Максимальное пороговое напряжение включения

PCN Packaging

http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD

PCN Assembly/Origin

http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD

Техническая документация

Datasheet , pdf , 717 КБ
Datasheet TN2106N3-G , pdf , 812 КБ
Datasheet TN2106N3-G , pdf , 695 КБ
Datasheet TN2106N3-G , pdf , 543 КБ

TN2106N3-G - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация