ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
VN10KN3-P014-G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Microchip Technology
VN10KN3-P014-G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
VN10KN3-P014-G
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор
МОП-транзистор 60V 5Ohm
Информация
Производитель
Microchip Technology
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2250082
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
310 mA
Pd - рассеивание мощности
1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
800 mV
Вид монтажа
Through Hole
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Microchip Technology
Упаковка / блок
TO-92-3
Продукт
MOSFET Small Signal
Тип
FET
Упаковка
Reel, Cut Tape
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 576 КБ