ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
VN2460N8-G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Microchip Technology
VN2460N8-G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
VN2460N8-G
Последняя цена
250 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор
МОП-транзистор 600V 20Ohm
Информация
Производитель
Microchip Technology
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2250080
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Максимальное рассеяние мощности
1,6 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2.6мм
Высота
1.6мм
Количество элементов на ИС
1
Length
4.6мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Microchip
Series
VN2460
Минимальная рабочая температура
55 C
Pin Count
3
Тип канала
N
Прямое напряжение диода
1.5V
Id - непрерывный ток утечки
200 mA
Pd - рассеивание мощности
1.6 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
20 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
20 ns
Длина
4.6 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
50 mS
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
25 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Microchip Technology
Упаковка / блок
SOT-89-3
Продукт
MOSFET Small Signal
Тип
FET
Тип корпуса
TO-243AA
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Максимальное напряжение затвор-исток
20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
200mA(Tj)
Rds On - Drain-Source Resistance
25О© @ 100mA,4.5V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 2mA
Maximum Continuous Drain Current
200 мА
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Drain Source Resistance
25 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 В
Channel Mode
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Техническая документация
Datasheet VN2460N8-G , pdf
, 179 КБ
Datasheet , pdf
, 554 КБ
Datasheet , pdf
, 554 КБ