CSD16340Q3 - характеристики, поставщики

CSD16340Q3

Последняя цена 50 руб.

CSD16340Q3

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: SON8, АБ

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments

Информация

Производитель

Texas Instruments

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2243805

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.1

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.4мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

7,8 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Id - непрерывный ток утечки

60 A

Pd - рассеивание мощности

3 W

Qg - заряд затвора

6.5 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

25 V

Vgs - напряжение затвор-исток

8 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

600 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

16.1 ns

Время спада

5.2 ns

Длина

3.4мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

NexFET

Конфигурация

Single Triple Source Quad Drain

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

NexFET

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Power MOSFET

Типичное время задержки выключения

13,8 нс

Типичное время задержки при включении

4.8 ns

Торговая марка

Texas Instruments

Упаковка / блок

VSON-Clip-8

Тип корпуса

SON

Размеры

3.4 x 3.4 x 1.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

4,8 нс

Производитель

Texas Instruments

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Число контактов

8

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

6,5 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

1050 пФ при 12,5 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

21A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

3W

Rds On - Drain-Source Resistance

4.5mО© @ 20A,8V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

25V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.1V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 306 КБ
Datasheet CSD16340Q3 , pdf , 802 КБ