ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N4124G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N4124G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N4124G
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT
NPN-транзисторы общего назначения, до 1 А, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2243503
Технические параметры
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0,3 В
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage
30 В
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
25 В
Package Type
TO-92
Maximum DC Collector Current
200 мА
Dimensions
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Тип транзистора
NPN
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0,95 В