IRFR220, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор

Корпус TO252

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2235441

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Base Product Number

IRFR220 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4.8A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 2.9A, 10V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D-Pak

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

4.8 A

Pd - рассеивание мощности

42 W

Qg - заряд затвора

14 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

800 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

22 ns

Время спада

13 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1.7 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

IRFR/U

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

19 ns

Типичное время задержки при включении

7.2 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

TO-252-3

Упаковка

Tube

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Maximum Continuous Drain Current (A)

4.8

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

800@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

200

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

2500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-252

Supplier Package

DPAK

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

260@25V

HTS

8541.10.00.80

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

14(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

14(Max)

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

7.2

Automotive

Military

Package Height

2.39(Max)

Package Length

6.73(Max)

Package Width

6.22(Max)

Tab

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 811 КБ
Datasheet IRFR220PBF , pdf , 798 КБ
Datasheet , pdf , 811 КБ
Datasheet , pdf , 806 КБ

IRFR220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация