ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF820A - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRF820A
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF820A
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2233859
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
2.5 A
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7мм
Высота
9.01мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Base Product Number
IRF820 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250ВµA
Длина
10.41мм
Типичное время задержки выключения
16 ns
Other Related Documents
http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Тип корпуса
TO-220AB
Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8,1 нс
Производитель
Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
17 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
340 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)
2.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
3000@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
500
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
50000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Through Hole
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220AB
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
340@25V
HTS
8541.10.00.80
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
17(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
17(Max)
Typical Fall Time (ns)
13
Typical Rise Time (ns)
12
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
16
Typical Turn-On Delay Time (ns)
8.1
Automotive
No
Military
No
Package Height
9.01(Max)
Package Length
10.41(Max)
Package Width
4.7(Max)
Tab
Tab
Техническая документация
IRF820 N-CHANNEL 500V - 2.5 OHM - 4A - TO-220 POWERMESH II MOSFET , pdf
, 250 КБ
Datasheet IRF820APBF , pdf
, 282 КБ
