ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPD30N06S2L-23 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPD30N06S2L-23
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPD30N06S2L-23
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2228977
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.3мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
30 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
6.5мм
Серия
OptiMOS
Типичное время задержки выключения
33 ns
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Размеры
6.5 x 6.22 x 2.3мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
33 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1091 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В