ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BD434S - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BD434S
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BD434S
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2214914
Технические параметры
Base Product Number
BD434 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
4A
Current - Collector Cutoff (Max)
100ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 10mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
3MHz
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Power - Max
36W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-126-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
22V
Pd - рассеивание мощности:
36 W
Вид монтажа:
Through Hole
Категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):
40
Конфигурация:
Single
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора:
4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO):
- 22 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
- 22 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
- 0.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):
- 5 V
Подкатегория:
Transistors
Полярность транзистора:
PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):
3 MHz
Производитель:
ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки:
2000
Технология:
Si
Тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка:
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок:
TO-126-3
Высота:
11 mm
Длина:
8 mm
Другие названия товара №:
BD434S_NL
Минимальная рабочая температура:
- 65 C
Ширина:
3.25 mm
Упаковка:
Bulk
Серия:
BD434
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 79 КБ
BD434_BD436_BD438 , pdf
, 43 КБ
