IRFIBC40G - характеристики, поставщики

IRFIBC40G

Последняя цена 290 руб.

IRFIBC40G

Сравнить

Описание

МОП-транзистор

МОП-транзистор 600V N-CH HEXFET

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2214869

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Ширина

4.7 mm

Высота

15.49 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

IRFIBC40 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3.5A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Power Dissipation (Max)

40W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.1A, 10V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

3.5 A

Pd - рассеивание мощности

40 W

Qg - заряд затвора

60 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.2 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

Through Hole

Длина

10.41 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

50

Серия

IRFIBC

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IRFIBC40GPBF , pdf , 825 КБ
Datasheet IRFIBC40GPBF , pdf , 1447 КБ