CSD19533KCS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 100А, 188Вт, TO220-3, NexFET™, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 400 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

• Сверхнизкие Qg и Qgd
• Низкое термическое сопротивление
• Устойчивость к лавинам
• Без галогенов
• Пластиковый корпус
• От -55 до 175 ° C Диапазон рабочих температур перехода

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD19533KCS

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2199883

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.7 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

CSD19533KCS

Торговая марка

Texas Instruments

Длина

10.67 mm

Высота

16.51 mm

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

188 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

115 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

CSD19533 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

10.5 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.8 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2670pF @ 50V

Power Dissipation (Max)

188W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 55A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 250ВµA

Series

NexFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

27 nC

Время нарастания

5 ns

Время спада

2 ns

Коммерческое обозначение

NexFET

Типичное время задержки выключения

12 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Manufacturer Product Page

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp

Техническая документация

Datasheet CSD19533KCS , pdf , 715 КБ

CSD19533KCS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 100А, 188Вт, TO220-3, NexFET™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 400 руб.

Техническая документация