ELDG.ru
Категории
Производители
Регистрация поставщика
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPP60R180C7XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 13А, 68Вт, PG-TO220 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPP60R180C7XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 13А, 68Вт, PG-TO220
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IPP60R180C7XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 13А, 68Вт, PG-TO220
Последняя цена
450 руб.
Сравнить
ВКонтакте
Одноклассники
Telegram
Twitter
Viber
WhatsApp
Скопировать ссылку
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
N-канал 600V 13A (Tc) 68W (Tc) сквозное отверстие PG-TO220-3-1
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPP60R180C7XKSA1
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2199465
Технические параметры
Вес, г
0.5
Mounting Type
Through Hole
Base Product Number
IPP60R180 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 400V
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.3A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 260ВµA
Series
CoolMOSв„ў C7 ->
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1950 КБ