STP3NK60Z, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 1,51А, 45Вт, TO220-3, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 210 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP3NK60Z

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2199242

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.96

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.6 mm

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

NRND

HTS

8541.10.00.80

Lead Shape

Through Hole

Package Length

10.4(Max)

Package Width

4.6(Max)

PCB changed

Package Height

9.15(Max)

Mounting

Through Hole

Maximum Drain Source Voltage (V)

600

Maximum Power Dissipation (mW)

45000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Supplier Package

TO-220

Standard Package Name

TO-220

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STP3NK60Z

Тип

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4 mm

Высота

9.15 mm

Id - непрерывный ток утечки

2.4 A

Pd - рассеивание мощности

45 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1.8 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STP3NK60 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Process Technology

SuperMESH

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.6 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

311pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

45W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.2A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 50ВµA

Number of Elements per Chip

Series

SuperMESHв„ў ->

Channel Mode

Enhancement

Qg - заряд затвора

11.8 nC

Время нарастания

14 ns

Время спада

14 ns

Коммерческое обозначение

SuperMESH

Типичное время задержки выключения

19 ns

Типичное время задержки при включении

9 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.8nC @ 10V

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±30

Maximum Continuous Drain Current (A)

2.4

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

3600@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

11.8@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

11.8

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

311@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Tab

Техническая документация

Datasheet , pdf , 998 КБ
Datasheet , pdf , 933 КБ
Datasheet , pdf , 916 КБ

STP3NK60Z, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 1,51А, 45Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 210 руб.

Техническая документация