ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFP12N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 12A 200Вт 0,5Ом TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFP12N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 12A 200Вт 0,5Ом TO220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFP12N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 12A 200Вт 0,5Ом TO220AB
Последняя цена
560 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFP12N50P
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2199085
Технические параметры
Вес, г
3
Length
10.66мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
IXYS
Тип корпуса
TO-220
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ширина
4.83мм
Maximum Drain Source Voltage
500 В
Число контактов
3
Channel Type
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Package Type
TO-220
Width
4.83мм
Pin Count
3
Серия
HiperFET, Polar
Длина
10.66мм
Высота
9.15мм
Размеры
10.66 x 4.83 x 9.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Производитель
IXYS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное рассеяние мощности
200 W
Максимальное сопротивление сток-исток
500 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1830 пФ при 25 В
Тип канала
N
Maximum Continuous Drain Current
12 А
Maximum Drain Source Resistance
500 мΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
29 нКл при 10 В
Transistor Material
Кремний
Channel Mode
Поднятие
Типичное время задержки выключения
65 нс
Типичное время задержки включения
22 ns
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
29 nC @ 10 V
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Максимальное пороговое напряжение включения
5.5V
Техническая документация
Datasheet IXFP12N50P , pdf
, 146 КБ