ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFK44N60 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFK44N60
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFK44N60
Последняя цена
4230 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор DIODE Id44 BVdass600
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2198806
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
10
Ширина
5.13 mm
Высота
26.16 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
44 A
Pd - рассеивание мощности
560 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
130 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
50 ns
Время спада
40 ns
Длина
19.96 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
45 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
25
Серия
IXFK44N60
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
100 ns
Типичное время задержки при включении
40 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка / блок
TO-264-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet IXFK44N60 , pdf
, 104 КБ