CSD18563Q5AT, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 96 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 250, корпус: TDFN8, АБ

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments

Информация

Производитель

Texas Instruments

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2198292

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.823

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

5мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

Series

NexFETв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

10,8 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

CSD18563Q5 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 30V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

8-PowerTDFN

Power Dissipation (Max)

3.2W (Ta), 116W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 18A, 10V

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

RoHS non-compliant

Supplier Device Package

8-VSONP (5x6)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

116 W

Qg - заряд затвора

15 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6.8 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.7 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

6.3 ns

Время спада

1.7 ns

Длина

6.1мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

NexFET

Конфигурация

Single Triple Source Quad Drain

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

250

Серия

NexFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Power MOSFET

Типичное время задержки выключения

11.4 ns

Типичное время задержки при включении

3.2 ns

Торговая марка

Texas Instruments

Упаковка / блок

VSONP-8

Тип

NexFET Power MOSFET

Тип корпуса

VSON

Размеры

6.1 x 5 x 1.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

3,2 нс

Производитель

Texas Instruments

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1150 пФ при 30 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

100A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

3.2W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.4V @ 250uA

Manufacturer Product Page

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp

Средства разработки

TPS40170EVM-597

Техническая документация

Datasheet CSD18563Q5AT , pdf , 851 КБ
Datasheet CSD18563Q5AT , pdf , 818 КБ

CSD18563Q5AT - характеристики, поставщики

Последняя цена 96 руб.

Техническая документация