IRLH5034TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 40В, 29А, 3,6Вт, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 520 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, Infineon
Диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRLH5034TRPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2197534

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.27

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6мм

Brand

Infineon

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

5 mm

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Конфигурация

Single

Channel Type

Package Type

PQFN

Width

5мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

HEXFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

6 mm

Высота

0.85mm

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

250 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

PQFN-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Minimum Gate Threshold Voltage

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.2 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

16 V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 А

Maximum Power Dissipation

156 W

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

82 nC @ 10 V

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Forward Diode Voltage

1.3V

Qg - заряд затвора

82 nC

Другие названия товара №

SP001552652

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Техническая документация

Datasheet IRLH5034TRPBF , pdf , 258 КБ
Datasheet IRLH5034TRPBF , pdf , 274 КБ

IRLH5034TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 40В, 29А, 3,6Вт - характеристики, поставщики

Последняя цена 520 руб.

Техническая документация