ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP53TA, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BCP53TA, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP53TA, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223
Последняя цена
37 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Транзисторы общего назначения PNP, до 1,5 А, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
BCP53TA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2197267
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.16
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-0,5 В
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage
-100 В
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Maximum Collector Emitter Voltage
80 В
Maximum Power Dissipation
2 Вт
Maximum DC Collector Current
1 A
Pin Count
3 + 1 (Tab)
Dimensions
6.55 x 3.55 x 1.65мм
Maximum Emitter Base Voltage
-5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
-100 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
6.55 x 3.55 x 1.65mm
Pd - рассеивание мощности
2000 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.65мм
Длина
6.55mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
40
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
BCP53
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.55mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
250
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
150 MHz
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
500 mV
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Максимальная рабочая частота
150 MHz
Тип корпуса
SOT-223
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 347 КБ