ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP5N105K5, Транзистор N-МОП, полевой, 1,05кВ, 2А, 85Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP5N105K5, Транзистор N-МОП, полевой, 1,05кВ, 2А, 85Вт, TO220-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STP5N105K5, Транзистор N-МОП, полевой, 1,05кВ, 2А, 85Вт, TO220-3
Последняя цена
420 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power МОП-транзисторs in TO-220 package
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP5N105K5
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2196329
Технические параметры
Вес, г
1.97
Mounting Type
Through Hole
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
STP5N105K5
Торговая марка
STMicroelectronics
Id - непрерывный ток утечки
3 A
Pd - рассеивание мощности
85 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1.05 kV
Вид монтажа
Through Hole
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
STP5N105 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
1050V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.5 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 100V
Power Dissipation (Max)
85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100ВµA
Series
MDmeshв„ў K5 ->
Qg - заряд затвора
12.5 nC
Время нарастания
8.5 ns
Время спада
24 ns
Коммерческое обозначение
MDmesh
Типичное время задержки выключения
31 ns
Типичное время задержки при включении
15.5 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Техническая документация
Datasheet STP5N105K5 , pdf
, 634 КБ
Datasheet STP5N105K5 , pdf
, 497 КБ