ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF9393TRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF9393TRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF9393TRPBF
Последняя цена
32 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ
МОП-транзистор MOSFT PCh -30V -9.2A 19.4mOhm 25Vgs
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2196109
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.2
Ширина
3.9 mm
Высота
1.75 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
9.2 A
Pd - рассеивание мощности
2.5 W
Qg - заряд затвора
14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
25.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.8 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
44 ns
Время спада
49 ns
Длина
4.9 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
13 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
4000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
55 ns
Типичное время задержки при включении
16 ns
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка / блок
SO-8
Техническая документация
Datasheet IRF9393TRPBF , pdf
, 257 КБ
Datasheet IRF9393TRPBF , pdf
, 258 КБ