CSD19505KCS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 150А, 300Вт, TO220-3, NexFET™, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 580 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

• Сверхнизкие Qg и Qgd
• Низкое термическое сопротивление
• Устойчивость к лавинам
• Без галогенов
• Пластиковый корпус
• От -55 до 175 ° C Диапазон рабочих температур перехода

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD19505KCS

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2196032

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.98

Ширина

4.7 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

CSD19505KCS

Торговая марка

Texas Instruments

Длина

10.67 mm

Высота

16.51 mm

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

300 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

80 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

262 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.1 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.6 V

Qg - заряд затвора

76 nC

Время нарастания

16 ns

Время спада

6 ns

Коммерческое обозначение

NexFET

Техническая документация

Datasheet , pdf , 382 КБ
Datasheet CSD19505KCS , pdf , 820 КБ

CSD19505KCS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 150А, 300Вт, TO220-3, NexFET™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 580 руб.

Техническая документация