ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC640, Транзистор PNP, биполярный, 100В, 1А, 800мВт, TO92 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
BC640, Транзистор PNP, биполярный, 100В, 1А, 800мВт, TO92
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC640, Транзистор PNP, биполярный, 100В, 1А, 800мВт, TO92
Последняя цена
40 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP THT
Малосигнальные транзисторы PNP, от 60 до 160 В, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
BC640TA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2195266
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.32
Base Product Number
BC640 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Power - Max
1W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
1A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Pd - Power Dissipation
1W
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
PNP
Размеры
4.58 x 3.86 x 4.58мм
Высота
4.58мм
Длина
4.58мм
Ширина
3.86мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0.5 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
5 W
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-92
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Техническая документация
BC640 datasheet , pdf
, 61 КБ
Datasheet BC640TA , pdf
, 148 КБ
Datasheet BC640TA , pdf
, 107 КБ
Datasheet , pdf
, 290 КБ
Datasheet BC640TA , pdf
, 276 КБ