TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, 110Вт, TO220AB, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK58E06N1,S1X

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2194423

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.96

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.45 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

TK58E06N1

Торговая марка

Toshiba

Длина

10.16 mm

Высота

15.1 mm

Id - непрерывный ток утечки

105 A

Pd - рассеивание мощности

110 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

RN1404 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

RoHS Status

RoHS Compliant

Supplier Device Package

TO-220

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

5.4 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

58A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 30V

Power Dissipation (Max)

110W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 29A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 500ВµA

Series

U-MOSVIII-H ->

Qg - заряд затвора

46 nC

Коммерческое обозначение

U-MOSVIII-H

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet TK58E06N1,S1X , pdf , 246 КБ
Datasheet TK58E06N1.S1X , pdf , 246 КБ

TK58E06N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 58А, 110Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.

Техническая документация