FQP9N90C, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 2,8А, 205Вт, TO220, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 610 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

FQP9N90C - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор QFET® с улучшенным режимом работы, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для уменьшения сопротивления в открытом состоянии и обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой лавинной энергии. Это устройство подходит для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов ламп.

• Низкий заряд затвора (45 нКл)
• Низкий коэффициент сжатия (14 пФ)
• 100% лавинные испытания

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQP9N90C

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2194096

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.06

Тип корпуса

TO-220AB

Ширина

4.7мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

QFET

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.1мм

Высота

9.4мм

Размеры

10.1 x 4.7 x 9.4мм

Id - непрерывный ток утечки

8 A

Pd - рассеивание мощности

205 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

900 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

9.2 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное рассеяние мощности

205 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

1.4 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

900 V

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

2100 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.4 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

58 nC

Время нарастания

120 ns

Время спада

75 ns

Коммерческое обозначение

QFET

Типичное время задержки выключения

100 нс

Типичное время задержки при включении

50 ns

Типичное время задержки включения

50 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

45 нКл при 10 В

Другие названия товара №

FQP9N90C_NL

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

8A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

205W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

1.4О© @ 4A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

900V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FQP9N90C , pdf , 1202 КБ
Datasheet FQP9N90C , pdf , 1189 КБ
Datasheet , pdf , 1201 КБ

FQP9N90C, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 2,8А, 205Вт, TO220, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 610 руб.

Техническая документация