FQP9N90C, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 2,8А, 205Вт, TO220, QFET®
FQP9N90C - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор QFET® с улучшенным режимом работы, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для уменьшения сопротивления в открытом состоянии и обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой лавинной энергии. Это устройство подходит для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов ламп.
• Низкий заряд затвора (45 нКл) • Низкий коэффициент сжатия (14 пФ) • 100% лавинные испытания
