IRFP250MPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 200В, 30А, 214Вт, TO247AC, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 420 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 150 В до 600 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFP250MPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2193166

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

6.17

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

16.13мм

Brand

Infineon

Тип корпуса

TO-247AC

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

5.2мм

Height

21.1мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

400

Серия

HEXFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

16.13мм

Высота

21.1мм

Размеры

16.13 x 5.2 x 21.1мм

Id - непрерывный ток утечки

30 A

Pd - рассеивание мощности

214 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

17 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IRFP250 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AC

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное рассеяние мощности

214 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

2159 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

75 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2159pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

214W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 18A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

214 Вт

Series

HEXFET

Maximum Drain Source Resistance

75 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Qg - заряд затвора

82 nC

Время нарастания

43 ns

Время спада

33 ns

Типичное время задержки выключения

41 нс

Типичное время задержки при включении

14 ns

Типичное время задержки включения

14 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

123 нКл при 10 В

Другие названия товара №

SP001566168

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Infineon_IRFP250M_DataSheet_v01_01_EN-1732650 , pdf , 1090 КБ
Datasheet , pdf , 637 КБ

IRFP250MPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 200В, 30А, 214Вт, TO247AC - характеристики, поставщики

Последняя цена 420 руб.

Техническая документация